Descripción
DIODO GEN PURP 200V 500MA DO35
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 200 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 500mA |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 100 mA |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100 nA a 175 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-35 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | 175 °C (máx.) |
| Número de producto base | 1N3070 |
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/1n3070-d.pdf
Descripción
DIODO GEN PURP 200V 500MA DO35
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 200 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 500mA |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 100 mA |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100 nA a 175 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-35 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | 175 °C (máx.) |
| Número de producto base | 1N3070 |
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/1n3070-d.pdf
