Descripción
DIODO GEN PURP 600V 30A TO220-2L
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Sigilo™ |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Compra por última vez |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 600 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 30A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 2,6 V a 30 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 40 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100 µA a 600 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-220-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-2L |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 150°C |
| Número de producto base | FFP30S60 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffp30s60stu-d.pdf
Descripción
DIODO GEN PURP 600V 30A TO220-2L
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Sigilo™ |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Compra por última vez |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 600 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 30A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 2,6 V a 30 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 40 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100 µA a 600 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-220-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-2L |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 150°C |
| Número de producto base | FFP30S60 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffp30s60stu-d.pdf
