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DIODO RECTIFICADOR MUR4100ERLG
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DIODO RECTIFICADOR MUR4100ERLG

  • MUR4100ERLG

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Descripción

DIODO GEN PURP 1KV 4A AXIAL

Características

• Energía de avalancha de 20 mJ garantizada  

• Excelente protección contra transitorios de voltaje en circuitos de carga inductiva de conmutación  

• Tiempo de recuperación ultrarrápido de 75 nanosegundos  

• Temperatura de unión operativa de 175 °C  

• Bajo voltaje directo  

• Baja corriente de fuga  

• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura  

• Tensión inversa a 1000 V  

• Estos son Dispositivos Libres de Pb* Características Mecánicas:  

• Caja: epoxi, moldeada  

• Peso: 1.1 Gramos (Aproximadamente)  

• Acabado: todas las superficies externas son resistentes a la corrosión y los cables terminales se pueden soldar fácilmente  

• Temperatura del plomo para fines de soldadura: 260 °C máx.durante 10 segundos • Enviado en bolsas de plástico, 5000 por bolsa  

• Cinta y carrete disponibles, 1500 por carrete, agregando un sufijo 'RL'' al número de pieza  

• Polaridad: Cátodo indicado por Banda de Polaridad

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteMUR4100ERLG
Fabricanteonsemi
SerieSWITCHMODE™
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaEstándar
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)1000 V
Corriente - Media Rectificada (Io)4A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,85 V a 4 A
VelocidadRecuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)100 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr25 µA a 1000 V
Capacitancia @ Vr, F-
Tipo de montajeA través del orificio
Paquete / CajaDO-201AA, DO-27, Axial
Paquete de dispositivo del proveedorAxial
Temperatura de funcionamiento: unión-65°C ~ 175°C
Número de producto básicoMUR4100

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mur480e-d.pdf

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