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DIODO RECTIFICADOR RGP10B
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DIODO RECTIFICADOR RGP10B

  • RGP10B

  • onsemi

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Descripción


DIODO GEN PURP 100V 1A DO41


Características

• Funcionamiento de 1,0 amperios a TA = 55 °C

sin fuga térmica.

• Alta temperatura metalúrgicamente

construcción ligada.

• Unión libre de cavidades pasivada con vidrio.

• IR típico inferior a 1 μA.

• Conmutación rápida para una alta eficiencia.


Descripción detallada


Número de parte del fabricanteRGP10B
Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaEstándar
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)100 V
Corriente - Media Rectificada (Io)1A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,3 V a 1 A
VelocidadRecuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)150 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr5 µA a 100 V
Capacitancia @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montajeA través del orificio
Paquete / CajaDO-204AL, DO-41, Axial
Paquete de dispositivo del proveedorDO-41
Temperatura de funcionamiento: unión-65°C ~ 175°C
Número de producto baseRGP10


Descargar

https://rocelec.widen.net/view/pdf/qetgvvma5k/ONSM-S-A0003589244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

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