Descripción
DIODO GEN PURP 100V 200MA SOD123
Características
Velocidad de conmutación rápida: el diodo SMMSD914T3G proporciona velocidades de conmutación rápidas, lo que permite una operación rápida y receptiva en circuitos electrónicos.Esta característica lo hace ideal para aplicaciones que requieren transiciones de conmutación rápidas.
Caída de tensión directa baja: Con una caída de tensión directa baja, este diodo minimiza la pérdida de energía durante la conducción, lo que resulta en una eficiencia energética mejorada y una generación de calor reducida.
Capacidad de corriente de sobretensión alta: el diodo SMMSD914T3G puede manejar corrientes de sobretensión alta, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento sólido y confiable en condiciones transitorias.
Paquete de montaje en superficie pequeño: este diodo está empaquetado en un paquete de montaje en superficie pequeño, lo que facilita su integración en diseños de circuitos compactos.Simplifica el proceso de montaje y ahorra un valioso espacio en la placa.
Amplio rango de temperatura: el diodo SMMSD914T3G funciona de manera confiable en un amplio rango de temperatura, lo que garantiza un rendimiento estable en diversas condiciones ambientales.
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | SMMSD914T3G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| diodos | |
| Rectificadores | |
| diodos individuales | |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 100 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 200mA |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 10 mA |
| Velocidad | Señal pequeña =< 200 mA (Io), cualquier velocidad |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 75 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | SOD-123 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-123 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Número de producto básico | SMMSD914 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mmsd914t1-d.pdf
Descripción
DIODO GEN PURP 100V 200MA SOD123
Características
Velocidad de conmutación rápida: el diodo SMMSD914T3G proporciona velocidades de conmutación rápidas, lo que permite una operación rápida y receptiva en circuitos electrónicos.Esta característica lo hace ideal para aplicaciones que requieren transiciones de conmutación rápidas.
Caída de tensión directa baja: Con una caída de tensión directa baja, este diodo minimiza la pérdida de energía durante la conducción, lo que resulta en una eficiencia energética mejorada y una generación de calor reducida.
Capacidad de corriente de sobretensión alta: el diodo SMMSD914T3G puede manejar corrientes de sobretensión alta, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento sólido y confiable en condiciones transitorias.
Paquete de montaje en superficie pequeño: este diodo está empaquetado en un paquete de montaje en superficie pequeño, lo que facilita su integración en diseños de circuitos compactos.Simplifica el proceso de montaje y ahorra un valioso espacio en la placa.
Amplio rango de temperatura: el diodo SMMSD914T3G funciona de manera confiable en un amplio rango de temperatura, lo que garantiza un rendimiento estable en diversas condiciones ambientales.
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | SMMSD914T3G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| diodos | |
| Rectificadores | |
| diodos individuales | |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 100 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 200mA |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 10 mA |
| Velocidad | Señal pequeña =< 200 mA (Io), cualquier velocidad |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 75 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | SOD-123 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-123 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Número de producto básico | SMMSD914 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mmsd914t1-d.pdf
