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DIODO SIC FFSH5065B-F085
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DIODO SIC FFSH5065B-F085

  • FFSH5065B-F085

  • onsemi

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Descripción

DIODO SIL CARB 650V 50A TO247-2

El 'FFSH5065B-F085' es un diodo de barrera Schottky de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y rectificación de energía eficiente.

Las especificaciones clave para el diodo 'FFSH5065B-F085' son:

  • Clasificación de voltaje: 65 voltios

  • Clasificación actual: 50 amperios

Como diodo Schottky, el 'FFSH5065B-F085' ofrece una caída de tensión directa baja y características de conmutación rápida.Esto da como resultado pérdidas de energía reducidas durante la conducción directa y lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia que requieren una rectificación y conmutación rápidas.

El diodo 'FFSH5065B-F085' generalmente se usa en fuentes de alimentación, reguladores de voltaje, impulsores de motores y otros circuitos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia.

Viene en un paquete TO-220 de montaje en superficie, lo que permite una fácil integración en los diseños de circuitos electrónicos modernos.Su construcción robusta garantiza un rendimiento fiable y constante en diversas aplicaciones de electrónica de potencia.

Características  

• Temperatura máxima de unión 175°C  

• Clasificación de avalancha de 225 mJ  

• Alta capacidad de corriente transitoria  

• Coeficiente de temperatura positivo  

• Facilidad de puesta en paralelo  

• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa  

• Cualificación AEC−Q101 y capacidad PPAP  

• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y cumplen con RoHS

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteFFSH5065B-F085
Fabricanteonsemi
SerieAutomoción, AEC-Q101
PaqueteTubo
Estado del productoActivo
TecnologíaSiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)650 V
Corriente - Media Rectificada (Io)50A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,7 V a 50 A
VelocidadSin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr40 µA a 650 V
Capacitancia @ Vr, F2030pF @ 1V, 100kHz
Tipo de montajeA través del orificio
Paquete / CajaTO-247-2
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247-2
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 175°C
Número de producto baseFFSH5065

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsh5065b-f085-d.pdf

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