Descripción
DIODO GEN PURP 400V 10A TO277-3
Características
• Perfil muy bajo: altura típica de 1,1 mm
• Tiempo de recuperación ultrarrápido
• Baja caída de tensión directa
• Baja Resistencia Térmica
• Operación muy estable a temperatura industrial, 150°C
• RoHS
• Compuesto de moldeo verde según la norma IEC61249
• Sin plomo de conformidad con la directiva EU RoHS 2011/65/EU
• Solo con la opción DAP
• Dispositivo industrial calificado según los estándares AEC−Q101
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FES10G |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 400 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 10 A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,2 V a 10 A |
| Velocidad | Recuperación estándar >500ns, >200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 400 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-277-3 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FES10 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fes10d-d.pdf
Descripción
DIODO GEN PURP 400V 10A TO277-3
Características
• Perfil muy bajo: altura típica de 1,1 mm
• Tiempo de recuperación ultrarrápido
• Baja caída de tensión directa
• Baja Resistencia Térmica
• Operación muy estable a temperatura industrial, 150°C
• RoHS
• Compuesto de moldeo verde según la norma IEC61249
• Sin plomo de conformidad con la directiva EU RoHS 2011/65/EU
• Solo con la opción DAP
• Dispositivo industrial calificado según los estándares AEC−Q101
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FES10G |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 400 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 10 A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,2 V a 10 A |
| Velocidad | Recuperación estándar >500ns, >200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 400 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-277-3 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FES10 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fes10d-d.pdf
