Descripción
DIODO SIL CARB 650V 20A D2PAK-3
El FFSB2065B-F085 presenta una baja resistencia y una velocidad de conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren un manejo de alta potencia y una mínima pérdida de potencia. Su tecnología avanzada garantiza una gestión de energía fiable y eficiente.
Con su tamaño compacto y paquete de montaje en superficie, el FFSB2065B-F085 es ideal para diseños con limitaciones de espacio. Ya sea que esté trabajando en fuentes de alimentación, sistemas de control de motores o convertidores CC-CC, este MOSFET brinda una solución confiable y eficiente.
El FFSB2065B-F085 está construido con materiales de alta calidad y se somete a pruebas estrictas para garantizar su durabilidad y confiabilidad. Opera dentro de un amplio rango de temperatura, lo que lo hace adecuado para diversas condiciones y entornos operativos.
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Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FFSB2065B-F085 |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | SiC (carburo de silicio) Schottky |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 20A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 20 A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40 µA a 650 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 866pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FFSB2065 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsb2065b-f085-d.pdf
Descripción
DIODO SIL CARB 650V 20A D2PAK-3
El FFSB2065B-F085 presenta una baja resistencia y una velocidad de conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren un manejo de alta potencia y una mínima pérdida de potencia. Su tecnología avanzada garantiza una gestión de energía fiable y eficiente.
Con su tamaño compacto y paquete de montaje en superficie, el FFSB2065B-F085 es ideal para diseños con limitaciones de espacio. Ya sea que esté trabajando en fuentes de alimentación, sistemas de control de motores o convertidores CC-CC, este MOSFET brinda una solución confiable y eficiente.
El FFSB2065B-F085 está construido con materiales de alta calidad y se somete a pruebas estrictas para garantizar su durabilidad y confiabilidad. Opera dentro de un amplio rango de temperatura, lo que lo hace adecuado para diversas condiciones y entornos operativos.
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Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FFSB2065B-F085 |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | SiC (carburo de silicio) Schottky |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 20A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 20 A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40 µA a 650 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 866pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FFSB2065 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsb2065b-f085-d.pdf
