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Diodo Schottky FFSP0865B
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Diodo Schottky FFSP0865B

  • FFSP0865B

  • onsemi

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Descripción


DIODO SIL CARB 650V 10.1A TO220


Características

• Temperatura máxima de unión 175°C

• Clasificación de avalancha de 33 mJ

• Alta capacidad de corriente transitoria

• Coeficiente de temperatura positivo

• Facilidad de puesta en paralelo

• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa

• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS

Obediente



Descripción detallada


Número de parte del fabricanteFFSP0865B
Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteTubo
Estado del productoActivo
TecnologíaSiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)650 V
Corriente - Media Rectificada (Io)10.1A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,7 V a 8 A
VelocidadSin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr40 µA a 650 V
Capacitancia @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
Tipo de montajeA través del orificio
Paquete / CajaTO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220-2
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 175°C
Número de producto baseFFSP0865


Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsp0865b-d.pdf


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