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Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) FFSP1265A
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Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) FFSP1265A

  • FFSP1265A

  • onsemi

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Descripción

DIODO SIL CARB 650V 15A TO220-2L

Características

• Temperatura máxima de unión 175°C

• Clasificación de avalancha de 72 mJ

• Alta capacidad de corriente transitoria

• Coeficiente de temperatura positivo

• Facilidad de puesta en paralelo

• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa

• Este dispositivo es libre de Pb−, libre de halógenos/BFR y RoHS

Obediente

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteFFSP1265A
Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteTubo
Estado del productoActivo
TecnologíaSiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)650 V
Corriente - Media Rectificada (Io)15A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,75 V a 12 A
VelocidadSin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr200 µA a 650 V
Capacitancia @ Vr, F665pF @ 1V, 100kHz
Tipo de montajeA través del orificio
Paquete / CajaTO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220-2L
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 175°C
Número de producto básicoFFSP1265

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ffsp1265a-d.pdf

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