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Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) FFSP2065BDN-F085

Descripción

DIODO SIL CARB 650V 10A TO220-3

Características

• Temperatura máxima de unión 175°C

• Clasificación de avalancha de 49 mJ

• Alta capacidad de corriente transitoria

• Coeficiente de temperatura positivo

• Facilidad de puesta en paralelo

• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa

• AEC−Q101 calificado

• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS

Obediente

Descripción detallada

Número de parte del fabricante	FFSP2065BDN-F085
Número de parte del fabricante	FFSP2065BDN-F085
Fabricante	onsemi
Serie	Automoción, AEC-Q101
Paquete	Tubo
Estado del producto	Activo
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	650 V
Corriente - Media Rectificada (Io)	10 A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1,7 V a 10 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr	40 µA a 650 V
Capacitancia @ Vr, F	421pF @ 1V, 100kHz
Tipo de montaje	A través del orificio
Paquete / Caja	TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Número de producto básico	FFSP2065

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