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Diodo de barrera Schottky MMDL770T1G
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Diodo de barrera Schottky MMDL770T1G

  • MMDL770T1G

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Descripción

DIODO SCHOTTKY 70V SOD323

Velocidad de conmutación rápida: el diodo MMDL770T1G proporciona velocidades de conmutación rápidas, lo que permite una operación rápida y receptiva en circuitos electrónicos.Es ideal para aplicaciones que requieren transiciones de conmutación rápidas y operación de alta frecuencia.

Baja caída de voltaje directo: con una baja caída de voltaje directo, este diodo minimiza la pérdida de energía durante la conducción, lo que resulta en una mayor eficiencia energética y una menor generación de calor.Ayuda a optimizar el rendimiento general del circuito.

Paquete de montaje en superficie pequeño: el diodo MMDL770T1G está empaquetado en un paquete de montaje en superficie pequeño, lo que facilita la integración en diseños de circuitos compactos.Ahorra un valioso espacio en la placa y facilita un montaje eficiente.

Características

• Vida útil de portadores minoritarios extremadamente baja

• Capacitancia muy baja − 1,0 pF a 20 V

• Baja fuga inversa: 200 nA (máx.)

• Voltaje inverso alto − 70 V (mín.)

• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS

Obediente

Descripción detallada

Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaSchottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)70 voltios
Corriente - Media Rectificada (Io)-
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1 V a 10 mA
VelocidadSeñal pequeña =< 200mA (Io), cualquier velocidad
Corriente - Fuga inversa @ Vr200 nA a 35 V
Capacitancia @ Vr, F1pF @ 20V, 1MHz
Tipo de montajeMontaje superficial
Paquete / CajaSC-76, CÉSPED-323
Paquete de dispositivo del proveedorSOD-323
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 150°C
Número de producto básicoMMDL770

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mmdl770t1-d.pdf

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