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Diodo de barrera Schottky NSVBAT54WT1G
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Diodo de barrera Schottky NSVBAT54WT1G

  • NSVBAT54WT1G

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Descripción

DIODO SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3

El 'NSVBAT54WT1G' es un diodo de barrera Schottky de serie dual diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y rectificación de propósito general.Contiene dos diodos Schottky en un solo paquete.

Las especificaciones clave para el diodo 'NSVBAT54WT1G' son:

  • Clasificación de voltaje: 30 voltios

  • Clasificación actual: 200 miliamperios (mA)

Como diodo Schottky de serie dual, el 'NSVBAT54WT1G' ofrece una baja caída de tensión directa y características de conmutación rápida.Esto lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia que requieren rectificación y conmutación rápidas.

Los diodos Schottky son conocidos por su conmutación de alta velocidad y baja caída de voltaje, lo que resulta en pérdidas de energía reducidas durante la conducción directa.

El diodo 'NSVBAT54WT1G' se usa comúnmente en tareas de rectificación de señal, sujeción de voltaje y conmutación de propósito general en circuitos electrónicos.

Viene en un paquete compacto SOT-363 de montaje en superficie, que permite una fácil integración en los diseños de circuitos electrónicos modernos.

Características

• Velocidad de conmutación extremadamente rápida

• Voltaje directo extremadamente bajo − 0,35 V (típico) @ IF = 10 mAdc

• Prefijo NSV para aplicaciones automotrices y otras que requieren

Requisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101

Calificado y con capacidad PPAP

• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteNSVBAT54WT1
Fabricanteonsemi
SerieAutomotor
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaSchottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)30 voltios
Corriente - Media Rectificada (Io)200mA
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si800mV a 100mA
VelocidadRecuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)5 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr2 µA a 25 V
Capacitancia @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montajeMontaje superficial
Paquete / CajaSC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-3 (SOT323)
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 125°C
Número de producto básicoNSVBAT54

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bat54wt1-d.pdf

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