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Diodo de conmutación de silicio BAS16TT1G
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Diodo de conmutación de silicio BAS16TT1G

  • BAS16TT1G

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Descripción

DIODO GP 100V 200MA SC75 SOT416

  1. Tipo: diodo de conmutación de propósito general

  2. Clasificación máxima de voltaje: 100V

  3. Clasificación de corriente máxima: 200 mA (o 0,2 A)

  4. Paquete: SC-75 (también conocido como SOT-416)

Características y aplicaciones:

El diodo BAS16TT1G está diseñado para varios circuitos electrónicos, particularmente para aplicaciones de conmutación.Ofrece las siguientes características:

  1. Velocidad de conmutación rápida: el diodo tiene una velocidad de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para aplicaciones donde se requieren tiempos de respuesta rápidos.

  2. Baja caída de voltaje directo: La baja caída de voltaje directo del diodo reduce las pérdidas de energía y lo hace eficiente para varios circuitos electrónicos.

  3. Paquete pequeño: el paquete SC-75 es un paquete pequeño de montaje en superficie, que es adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio y es compatible con procesos de ensamblaje automatizados.

  4. Conmutación de uso general: se puede utilizar en una amplia gama de aplicaciones de conmutación de uso general.

Las aplicaciones para el diodo BAS16TT1G incluyen pero no se limitan a:

  • Detección y demodulación de señales en circuitos de comunicación.

  • Conmutación de alta velocidad en circuitos digitales y analógicos.

  • Circuitos de protección contra picos de tensión y bloqueo de tensión.

  • Rectificación de propósito general en pequeños dispositivos electrónicos.

Características

El BAS16TT1G presenta una baja caída de tensión directa y una rápida velocidad de conmutación, lo que lo convierte en una excelente opción para aplicaciones de alta frecuencia como telecomunicaciones, comunicación de datos y circuitos digitales.

Su bajo tiempo de recuperación inversa garantiza un funcionamiento eficiente y fiable.

Con su pequeño paquete de montaje en superficie, el BAS16TT1G es ideal para diseños con limitaciones de espacio.  

Ya sea que esté trabajando en dispositivos móviles, periféricos de computadora o electrónica automotriz, este diodo brinda una solución confiable y eficiente.

El BAS16TT1G está construido con materiales de alta calidad y se somete a pruebas estrictas para garantizar su durabilidad y confiabilidad.  

Opera dentro de un amplio rango de temperatura, lo que lo hace adecuado para diversas condiciones y entornos operativos.

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteBAS16TT1G
Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaEstándar
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)100 V
Corriente - Media Rectificada (Io)200mA
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si1,25 V a 150 mA
VelocidadSeñal pequeña =< 200 mA (Io), cualquier velocidad
Tiempo de recuperación inversa (trr)6 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr1 µA a 75 V
Capacitancia @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montajeMontaje superficial
Paquete / CajaSC-75, SOT-416
Paquete de dispositivo del proveedorSC-75, SOT-416
Temperatura de funcionamiento: unión-55°C ~ 150°C
Número de producto baseBAS16

Descargar

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bas16tt1-d.pdf

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