Descripción
DIODO SIL CARB 650V 20A TO247-2
Características
• Temperatura máxima de unión 175°C
• Clasificación de avalancha de 94 mJ
• Alta capacidad de corriente transitoria
• Coeficiente de temperatura positivo
• Facilidad de puesta en paralelo
• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
• Cualificación AEC−Q101 y capacidad PPAP
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son aplicaciones compatibles con RoHS
• Cargadores a bordo HEV-EV para automóviles
• Convertidores automotrices HEV−EV DC−DC
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FFSH2065B-F085 |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | SiC (carburo de silicio) Schottky |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 20A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 20 A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40 µA a 650 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 866pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FFSH2065 |
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Descripción
DIODO SIL CARB 650V 20A TO247-2
Características
• Temperatura máxima de unión 175°C
• Clasificación de avalancha de 94 mJ
• Alta capacidad de corriente transitoria
• Coeficiente de temperatura positivo
• Facilidad de puesta en paralelo
• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
• Cualificación AEC−Q101 y capacidad PPAP
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son aplicaciones compatibles con RoHS
• Cargadores a bordo HEV-EV para automóviles
• Convertidores automotrices HEV−EV DC−DC
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | FFSH2065B-F085 |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | SiC (carburo de silicio) Schottky |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 650 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 20A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 20 A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40 µA a 650 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 866pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Paquete / Caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | FFSH2065 |
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