NRVHPM120T3G
onsemi
| Cantidad: | |
|---|---|
Descripción
DIODO GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Características
• Conmutación suave rápida para reducción de EMI y mayor eficiencia
• Perfil bajo − Altura máxima de 1,1 mm
• Huella pequeña − Área de huella de 8,45 mm2
• Se suministra en cinta y carrete de 12 mm
• Baja resistencia térmica con trayectoria térmica directa del troquel
Disipador de calor de cátodo expuesto
• Prefijo NRV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS
Obediente
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 200 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 1 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500 nA a 200 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-216AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Powermite |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | NRVHPM120 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nhpm120-d.pdf
Descripción
DIODO GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Características
• Conmutación suave rápida para reducción de EMI y mayor eficiencia
• Perfil bajo − Altura máxima de 1,1 mm
• Huella pequeña − Área de huella de 8,45 mm2
• Se suministra en cinta y carrete de 12 mm
• Baja resistencia térmica con trayectoria térmica directa del troquel
Disipador de calor de cátodo expuesto
• Prefijo NRV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS
Obediente
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 200 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1 V a 1 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500 nA a 200 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-216AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Powermite |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | NRVHPM120 |
Descargar
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nhpm120-d.pdf
