NRVUS2MA
onsemi
| Cantidad: | |
|---|---|
Descripción
DIODO GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
Presentamos el NRVUS2MA, un diodo confiable y de alta calidad diseñado para aplicaciones de uso general.Con una tensión nominal de 600 V y una corriente nominal de 20 A, este diodo es perfecto para una amplia gama de proyectos eléctricos.
El NRVUS2MA está diseñado para ofrecer un rendimiento y una eficiencia excepcionales.Su paquete TO263AB asegura una fácil instalación y una conexión segura.Ya sea que esté trabajando en fuentes de alimentación, inversores u otros dispositivos electrónicos, este diodo brindará la protección y la estabilidad necesarias.
Diseñado con precisión y siguiendo los estándares de la industria, el NRVUS2MA garantiza una funcionalidad y longevidad óptimas.Su tecnología de diodo garantiza una baja caída de voltaje directo y una alta capacidad de sobretensión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes.
Con su construcción de nivel profesional y características sobresalientes, el NRVUS2MA es la opción ideal para ingenieros, técnicos y aficionados que buscan un diodo que ofrezca un rendimiento, confiabilidad y seguridad excepcionales.
Elija el diodo NRVUS2MA y experimente la calidad y eficiencia incomparables que aporta a sus proyectos.Confíe en su diseño superior y libere todo el potencial de sus aplicaciones eléctricas.
Características
• Empalme de chip pasivado de vidrio
• Alta capacidad de sobretensión
• Baja caída de tensión directa
• Conmutación rápida con tiempo de recuperación inversa: 50∼75 ns como máximo
• Inflamabilidad UL 94 V − 0 Clasificación
• MSL 1 por J−STD−020
• Cumple con RoHS / Compuesto de moldeo verde
• Prefijo NRV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101
Calificado y con capacidad PPAP*
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 1000 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1.5A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 1,5 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 1000 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Número de producto básico | NRVUS2 |
Descargar https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/us2aa-d.pdf
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Descripción
DIODO GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
Presentamos el NRVUS2MA, un diodo confiable y de alta calidad diseñado para aplicaciones de uso general.Con una tensión nominal de 600 V y una corriente nominal de 20 A, este diodo es perfecto para una amplia gama de proyectos eléctricos.
El NRVUS2MA está diseñado para ofrecer un rendimiento y una eficiencia excepcionales.Su paquete TO263AB asegura una fácil instalación y una conexión segura.Ya sea que esté trabajando en fuentes de alimentación, inversores u otros dispositivos electrónicos, este diodo brindará la protección y la estabilidad necesarias.
Diseñado con precisión y siguiendo los estándares de la industria, el NRVUS2MA garantiza una funcionalidad y longevidad óptimas.Su tecnología de diodo garantiza una baja caída de voltaje directo y una alta capacidad de sobretensión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes.
Con su construcción de nivel profesional y características sobresalientes, el NRVUS2MA es la opción ideal para ingenieros, técnicos y aficionados que buscan un diodo que ofrezca un rendimiento, confiabilidad y seguridad excepcionales.
Elija el diodo NRVUS2MA y experimente la calidad y eficiencia incomparables que aporta a sus proyectos.Confíe en su diseño superior y libere todo el potencial de sus aplicaciones eléctricas.
Características
• Empalme de chip pasivado de vidrio
• Alta capacidad de sobretensión
• Baja caída de tensión directa
• Conmutación rápida con tiempo de recuperación inversa: 50∼75 ns como máximo
• Inflamabilidad UL 94 V − 0 Clasificación
• MSL 1 por J−STD−020
• Cumple con RoHS / Compuesto de moldeo verde
• Prefijo NRV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101
Calificado y con capacidad PPAP*
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 1000 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1.5A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,7 V a 1,5 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5 µA a 1000 V |
| Capacitancia @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Número de producto básico | NRVUS2 |
Descargar https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/us2aa-d.pdf
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