MURS480ET3G
onsemi
| Cantidad: | |
|---|---|
Descripción
DIODO GEN PURP 800V 4A SMC
Características
• Energía de avalancha de 20 mJ garantizada
• Excelente protección contra transitorios de voltaje en la conmutación
Circuitos de carga inductiva
• Tiempo de recuperación ultrarrápido de 75 nanosegundos
• Temperatura de unión operativa de 175 °C
• Bajo voltaje directo
• Baja corriente de fuga
• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura
• Tensión inversa a 800 V
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS
Obediente
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 800 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 4A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,85 V a 4 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 100 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25 µA a 800 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMC |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto base | MURS480 |
Descargar |
Descripción
DIODO GEN PURP 800V 4A SMC
Características
• Energía de avalancha de 20 mJ garantizada
• Excelente protección contra transitorios de voltaje en la conmutación
Circuitos de carga inductiva
• Tiempo de recuperación ultrarrápido de 75 nanosegundos
• Temperatura de unión operativa de 175 °C
• Bajo voltaje directo
• Baja corriente de fuga
• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura
• Tensión inversa a 800 V
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y son RoHS
Obediente
Descripción detallada
| Fabricante | onsemi |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 800 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 4A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 1,85 V a 4 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 100 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25 µA a 800 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMC |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto base | MURS480 |
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