MURA110T3G
onsemi
| Cantidad: |
|---|
Descripción
DIODO GEN PURP 100V 1A SMA
Características
• Paquete pequeño compacto de montaje en superficie con conductores con curvatura en J
• Paquete rectangular para manejo automatizado
• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura
• Baja caída de tensión directa (0,66 V máx. a 1,0 A, TJ = 150 °C)
• Paquetes libres de Pb están disponibles
Características mecánicas:
• Caja: epoxi, moldeada
• Peso: 70 mg (Aproximadamente)
• Acabado: todas las superficies externas resistentes a la corrosión y terminales son fácilmente soldables
• Temperatura del conductor y de la superficie de montaje para fines de soldadura:
260°C Máx.durante 10 segundos
• Polaridad: la banda de polaridad indica el cable del cátodo
• Protección ESD: Modelo de cuerpo humano > 4000 V (Clase 3)
Modelo de máquina > 400 V (Clase C)
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | MURA110T3G |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 100 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 875 mV a 1 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2 µA a 100 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMA |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | MURA110 |
| Descargar | |
| https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/MURA105T3-D.pdf | |
Descripción
DIODO GEN PURP 100V 1A SMA
Características
• Paquete pequeño compacto de montaje en superficie con conductores con curvatura en J
• Paquete rectangular para manejo automatizado
• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura
• Baja caída de tensión directa (0,66 V máx. a 1,0 A, TJ = 150 °C)
• Paquetes libres de Pb están disponibles
Características mecánicas:
• Caja: epoxi, moldeada
• Peso: 70 mg (Aproximadamente)
• Acabado: todas las superficies externas resistentes a la corrosión y terminales son fácilmente soldables
• Temperatura del conductor y de la superficie de montaje para fines de soldadura:
260°C Máx.durante 10 segundos
• Polaridad: la banda de polaridad indica el cable del cátodo
• Protección ESD: Modelo de cuerpo humano > 4000 V (Clase 3)
Modelo de máquina > 400 V (Clase C)
Descripción detallada
| Número de parte del fabricante | MURA110T3G |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Estado del producto | Activo |
| Tecnología | Estándar |
| Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.) | 100 V |
| Corriente - Media Rectificada (Io) | 1A |
| Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | 875 mV a 1 A |
| Velocidad | Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30 ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2 µA a 100 V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMA |
| Temperatura de funcionamiento: unión | -65°C ~ 175°C |
| Número de producto básico | MURA110 |
| Descargar | |
| https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/MURA105T3-D.pdf | |
