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Rectificadores de potencia ultrarrápidos de montaje en superficie MURA110T3G
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Rectificadores de potencia ultrarrápidos de montaje en superficie MURA110T3G

  • MURA110T3G

  • onsemi

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Descripción

DIODO GEN PURP 100V 1A SMA

Características

• Paquete pequeño compacto de montaje en superficie con conductores con curvatura en J

• Paquete rectangular para manejo automatizado

• Unión pasivada de vidrio de alta temperatura

• Baja caída de tensión directa (0,66 V máx. a 1,0 A, TJ = 150 °C)

• Paquetes libres de Pb están disponibles

Características mecánicas:

• Caja: epoxi, moldeada

• Peso: 70 mg (Aproximadamente)

• Acabado: todas las superficies externas resistentes a la corrosión y terminales son fácilmente soldables

• Temperatura del conductor y de la superficie de montaje para fines de soldadura:

260°C Máx.durante 10 segundos

• Polaridad: la banda de polaridad indica el cable del cátodo

• Protección ESD: Modelo de cuerpo humano > 4000 V (Clase 3)

Modelo de máquina > 400 V (Clase C)

Descripción detallada

Número de parte del fabricanteMURA110T3G
Fabricanteonsemi
Serie-
PaqueteCinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Estado del productoActivo
TecnologíaEstándar
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)100 V
Corriente - Media Rectificada (Io)1A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si875 mV a 1 A
VelocidadRecuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)30 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr2 µA a 100 V
Capacitancia @ Vr, F-
Tipo de montajeMontaje superficial
Paquete / CajaDO-214AC, SMA
Paquete de dispositivo del proveedorSMA
Temperatura de funcionamiento: unión-65°C ~ 175°C
Número de producto básicoMURA110
Descargar
https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/MURA105T3-D.pdf

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